大家好，来看一(yī)则(充电宝100wh等于多少毫安zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ā充电宝100wh等于多少毫安n)全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，20充电宝100wh等于多少毫安22年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

未经允许不得转载：腾众软件科技有限公司 充电宝100wh等于多少毫安